Resumen

Para dilucidar el efecto de la función de trabajo sobre la posición del punto de Dirac, fabricamos dispositivos de grafeno con contactos metálicos asimétricos. Midiendo la posición pico de la resistencia para cada par de electrodos metálicos, obtuvimos el voltaje del punto de Dirac VgDirac (V) a partir de la respuesta de puerta. Encontramos que la posición de VgDirac (V) en los dispositivos híbridos estaba significativamente influenciada por el tipo de electrodo metálico. Los desplazamientos medidos en VgDirac (V) estaban estrechamente relacionados con las funciones de trabajo modificadas de los complejos metal-grafeno. Dentro de un cierto rango de polarización, el nivel de Fermi de uno de los contactos se alineó con la banda de electrones y el del otro contacto con la banda de huecos.

• Materias:Biotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanotubos Análisis espectroquímico
• Subjects:Biotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanotubes Spectrochemical analysis
• Palabras claves:punto de dirac vgdirac, contactos metálicos asimétricos, cierto rango de polarización, vgdirac, posición, punto de dirac, nivel de fermi, banda electrónica, respuesta de puerta, complejos de grafeno
• Keywords:dirac point vgdirac, asymmetric metal contacts, certain bias range, vgdirac, position, dirac point, fermi level, electron band, gate response, graphene complexes