Resumen

Este estudio investiga la aplicabilidad de un contraelectrodo con un óxido semiconductor de tipo P (como NiO) en una célula solar sensibilizada por colorante (DSSC). El contraelectrodo se fabrica depositando una película de NiO sobre una película de Pt, que se ha depositado sobre un vidrio de óxido de estaño dopado con flúor (FTO) utilizando un recubridor de pulverización iónica (o evaporador de haz de electrones), mediante un sencillo método de recubrimiento por rotación. Este estudio también examina el efecto del espesor medio de la película de TiO2 depositada en un electrodo de trabajo sobre la eficiencia de conversión de potencia de una DSSC. Este estudio muestra que la eficiencia de conversión de potencia de una DSSC con un contraelectrodo de Pt(E)/NiO (4,28%) supera sustancialmente la de una DSSC convencional con un contraelectrodo de Pt(E) (3,16%) sobre el que se depositó una película de Pt utilizando un evaporador de haz de electrones. Este resultado se atribuye al hecho de que la película de NiO recubierta sobre el contraelectrodo de Pt(E) mejora la actividad electrocatalítica del contraelectrodo.

• Materias:Electroquímica Energía solar Fotocatálisis Nanoestructuras Rayos ultravioleta
• Subjects:Electrochemistry Solar energy Photocatalysis Nanostructures Ultraviolet rays
• Palabras claves:contraelectrodo, eficacia de conversión de potencia, dssc, estudio, película de nio, película de pt, evaporador de haz, método simple de recubrimiento por espín, contraelectrodo de pt(e)/nio, óxido semiconductor tipo
• Keywords:counter electrode, power conversion efficiency, dssc, study, nio film, pt film, beam evaporator, simple spin coating method, pt(e)/nio counter electrode, type semiconductor oxide