Resumen

Este trabajo presenta una novedosa fuente de luz blanca. Se deposita una película de granate de itrio y aluminio (YAG) con fósforo incorporado de óxido de zinc (ZnO) (ZnO:YAG) sobre un sustrato de silicio mediante pirólisis por pulverización ultrasónica para formar un diodo de nanoestructura. En las superficies del sustrato de silicio se forma una nanoflor consistente en un nanopetal hexagonal. En el diodo de nanoestructura de ZnO:YAG/silicio se observó una banda blanca ancha de fotoluminiscencia a temperatura ambiente que oscilaba entre 420 y 650 nm. La banda blanca ancha está formada por las emisiones de la transición de nivel de defecto de la película de ZnO y las transiciones de nivel 5D4 a nivel 7F6 y 7F5 de los iones Ce3.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:banda ancha blanca, yag, zno, sustrato de silicio, nueva fuente de luz blanca, iones ce3, transición de nivel de defecto, fotoluminiscencia a temperatura ambiente, diodo de nanoestructura de silicio, pirólisis por pulverización ultrasónica
• Keywords:white broad band, yag, zno, silicon substrate, novel white light source, ce3+ ions, defect level transition, room temperature photoluminescence, silicon nanostructure diode, ultrasonic spray pyrolysis