Resumen

Se prepararon películas precursoras que contenían Se con dos composiciones diferentes mediante pulverización catódica por magnetrón a partir de blancos de Cu0,8Ga0,2 e In2Se3, y después se selenizaron utilizando vapor de Se. Se investigaron los efectos de la composición del precursor y la temperatura de selenización en las propiedades de la película. Los resultados muestran que la fase Cu2-xSe desempeña un papel fundamental en el crecimiento y las propiedades eléctricas de las películas de CIGS. Las películas ricas en Cu presentan una morfología superficial diferente y una mejor cristalinidad, en comparación con las películas pobres en Cu. Todas las películas CIGS presentan conductividad de tipo p. La resistividad de las películas ricas en Cu es aproximadamente tres órdenes de magnitud inferior a la de las películas pobres en Cu, lo que se atribuye a la presencia de la fase Cu2-xSe, altamente conductora, de tipo p.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:películas cigs, películas pobres, películas ricas, fase xse, diferente morfología superficial, objetivos in2se3, vapor se, mejor cristalinidad, cu2 conductor, papel crítico
• Keywords:cigs films, poor films, rich films, xse phase, different surface morphology, in2se3 targets, se vapor, better crystallinity, conductive cu2, critical role