Se prepararon películas de óxido de estaño SnO2 mediante pulverización catódica por magnetrón de RF. Se han investigado los efectos del porcentaje de presión parcial de oxígeno en las propiedades del SnO2 para obtener películas de SnO2 de relativamente alta resistividad que podrían utilizarse como capas tampón para optimizar el rendimiento de las células solares de CdTe/CdS. El porcentaje de presión parcial de oxígeno varió en el rango de 1%~10%. Los resultados muestran que la introducción de oxígeno suprimiría la deposición y el crecimiento de las películas de SnO2. Las mediciones eléctricas indican que la resistividad de la película disminuye con el aumento de la presión de oxígeno. Las películas de SnO2 con resistividad de 232 Ω cm se obtuvieron en atmósfera de Ar puro. Todas las películas de SnO2 fabricadas con diferentes porcentajes de presión parcial de oxígeno tienen casi la misma separación de banda óptica.
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