Resumen

Presentamos un proceso de nanodamascena versátil para la realización de dispositivos nanoelectrónicos de baja potencia con diferentes uniones de óxido. Con este proceso hemos fabricado uniones metal/insulador/metal, transistores metálicos de un solo electrón, transistores de efecto de campo de túnel de silicio y memorias resistivas planares. Estos dispositivos explotan una o dos uniones túnel de óxido a escala nanométrica basadas en TiO2, SiO2, HfO2, Al2O3, o una combinación de ellas. Dado que la tecnología de nanodamascena implica temperaturas de procesamiento inferiores a 300 °C, esta tecnología es totalmente compatible con el back-end-of-line CMOS y se utiliza para la integración 3D monolítica.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:transistores metálicos de un solo electrón, uniones túnel de óxido a escala, transistores túnel de efecto de campo de silicio, diferentes uniones de óxido, integración monolítica en 3d, memorias resistivas planares, proceso nanodamasceno versátil, uniones metálicas, tecnología nanodamasceno, dispositivos nanoelectrónicos
• Keywords:metallic single electron transistors, scale tunnel oxide junctions, silicon tunnel field effect transistors, different oxide junctions, monolithic 3d integration, planar resistive memories, versatile nanodamascene process, metal junctions, nanodamascene technology, nanoelectronic devices