Resumen

Se han depositado películas delgadas de In2S3 (In2S3:Ag) dopadas con Ag sobre sustratos de vidrio mediante un método de evaporación térmica. La concentración de Ag ha variado desde 0 at.% hasta 4,78 at.%. Las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas se caracterizan mediante difracción de rayos X (DRX), espectrofotómetro y sistema de medición Hall, respectivamente. El análisis XRD confirma la existencia de las fases In2S3 y AgIn5S8. Con el aumento de la concentración de Ag, la brecha de banda de las películas se reduce gradualmente de 2,82 eV a 2,69 eV y la resistividad disminuye drásticamente de ~103 a 5,478×10-2 Ω-cm.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:métodos de evaporación térmica, sistema de medición hall, existencia de la fase in2s3, agin5s8, película delgada, difracción de rayos, análisis xrd, in2s3 dopado, propiedad eléctrica, concentración de ag
• Keywords:thermal evaporation methods, hall measurement system, existence of in2s3, agin5s8 phase, thin film, ray diffraction, xrd analysis, doped in2s3, electrical property, ag concentration