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Properties of RF-Sputtered PZT Thin Films with Ti/Pt ElectrodesPropiedades de las láminas delgadas de PZT inyectadas por RF con electrodos de Ti/Pt

Resumen

Se ha investigado el efecto de la temperatura de recocido y del espesor de la película delgada sobre las propiedades de la película delgada de Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 (PZT) depositada mediante la técnica de sputtering por magnetrón de radiofrecuencia sobre un sustrato de Pt/Ti/SiO2/Si. El tamaño medio de los granos de la película delgada de PZT se midió mediante microscopio de fuerza atómica; su orientación preferente se estudió mediante análisis de difracción de rayos X. La tensión residual media en la película delgada se estimó según la fórmula de Stoney optimizada, y la caracterización por espectroscopia de impedancia se realizó mediante un instrumento de medida inteligente LCR. Los tamaños medios de grano de las películas delgadas de PZT fueron de 60 nm~90 nm y su rugosidad media fue inferior a 2 nm. Según el análisis de difracción de rayos X, 600°C es la temperatura de recocido óptima para obtener la película delgada de PZT con mejor cristalización. La tensión residual media mostró que el desajuste térmico era el factor decisivo de la tensión residual en el sustrato Pt/Ti/SiO2/Si; la tensión residual en la película delgada de PZT disminuía a medida que aumentaba su espesor y aumentaba con la temperatura de recocido. La constante dieléctrica y la tangente del ángulo de pérdida aumentaron considerablemente con el espesor de las películas delgadas de PZT. La capacitancia del dispositivo puede ajustarse en función del grosor de las películas delgadas de PZT.

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