Resumen

Una lámina base de silicio monocristalino ampliada ofrece una gran oportunidad para combinar la producción de bajo coste con células solares de silicio de alta eficiencia a gran escala. Al superar la restricción de área de la producción de obleas de silicio monocristalino en lingotes, los costes podrían reducirse hasta el rango de las células solares de película fina. La lámina base de silicio monocristalino ampliada se compone de varias obleas delgadas de silicio individuales que se sueldan entre sí. Aquí se investiga una comparación de tres enfoques diferentes para soldar láminas delgadas de silicio de 50 μm: (1) soldadura láser por puntos con baja velocidad de avance constante, (2) soldadura láser por líneas, y (3) soldadura keyhole. Se preparan secciones transversales y se analizan mediante difracción de retrodispersión de electrones (EBSD) para revelar cambios en la estructura cristalina en el lado de la soldadura tras la irradiación láser. El tratamiento provoca la aparición de nuevos granos y límites. La tensión interna inducida, utilizando los tres procesos diferentes de soldadura láser, se investigó mediante análisis micro-Raman. Llegamos a la conclusión de que el proceso de soldadura keyhole es el más favorable para producir láminas delgadas de silicio.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:lámina base de silicio monocristalino extendido, láminas delgadas de silicio, diferentes procesos de soldadura láser, baja velocidad de avance constante, producción de obleas de silicio monocristalino, varias obleas delgadas de silicio individuales, difracción de retrodispersión de electrones, silicio de alta eficiencia, tensión interna inducida, proceso de soldadura keyhole
• Keywords:extended monocrystalline silicon base foil, thin silicon foils, different laser welding processes, low constant feed speed, monocrystalline silicon wafer production, several individual thin silicon wafers, electron backscatter diffraction, high efficiency silicon, induced internal stress, keyhole welding process