Durante las últimas décadas, los nanocristales (NC) de Si han recibido una notable atención debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. Este artículo resume los últimos avances en el estudio de la luminiscencia de los NC de Si, como la fotoluminiscencia (PL), la catodoluminiscencia, la PL resuelta en el tiempo y la electroluminiscencia. El artículo se centra especialmente en las NCs de Si producidas por deposición por pulverización iónica de una sola capa de SiOx o multicapas de SiOx/SiO2 y posterior recocido. Los efectos de la estequiometría (x) y el espesor de las capas de SiOx sobre la luminiscencia se analizan en detalle y se discuten en base a posibles mecanismos.
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