Resumen

El telururo de bismuto tiene un alto rendimiento termoeléctrico a temperatura ambiente; en el presente trabajo, se fabricaron varias películas finas nanoestructuradas de telururo de bismuto sobre sustratos de silicio a temperatura ambiente utilizando el método de evaporación térmica. Se depositaron telurio (Te) y bismuto (Bi) sobre sustrato de silicio en diferentes proporciones de espesor. Estas películas se recocieron a 50°C y 100°C. Tras el tratamiento térmico, las películas delgadas alcanzaron la naturaleza semiconductora. Las muestras se estudiaron mediante difracción de rayos X (XRD) y microscopía electrónica de barrido (SEM) para mostrar el crecimiento granular.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles
• Palabras claves:temperatura ambiente, varias películas delgadas nanoestructuradas, alto rendimiento termoeléctrico, método de evaporación térmica, telururo de bismuto, telururo de bismuto, diferente relación, microscopía electrónica, crecimiento granular, tratamiento térmico
• Keywords:room temperature, various nanostructure thin films, high thermoelectric performance, thermal evaporation method, bismuth telluride, bismuth telluride, different ratio, electron microscopy, granular growth, heat treatment