Resumen

Se prepararon películas de silicio amorfo hidrogenado dopado con B (a-Si:H) con diversas concentraciones de dopante mediante una técnica de deposición química en fase vapor potenciada por plasma (PECVD). Tras el recocido térmico, se obtuvieron nanocristales de silicio (NCs) dopados con B en las películas. Se investigaron las propiedades electrónicas de las películas de NC de Si dopadas con B con diversas concentraciones de dopaje, combinadas con la caracterización microestructural. Se consiguió una mejora significativa de la movilidad Hall hasta alcanzar un máximo de 17,8 cm2/V-s en la película de Si NC tras el dopaje con B, lo que se debe a la reducción de la dispersión en el límite de grano (GB) en las muestras dopadas con B. Al aumentar la concentración de dopante, es interesante observar que se produce una transición metal-aislante (MIT) en las películas de Si NC dopadas con B con altas concentraciones de dopante. Se investigaron y discutieron las diferentes propiedades de transporte de portadores en las películas de Si NC dopadas con B con distintas concentraciones de dopaje, haciendo hincapié en los mecanismos de dispersión en el proceso de transporte.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites
• Palabras claves:películas de si nc, diversas concentraciones de dopaje, diferentes propiedades de transporte de portadores, película de si nc, deposición química de vapor, altas concentraciones de dopaje, películas, muestras, dopaje b, movilidad hall
• Keywords:si nc films, various doping concentrations, different carrier transport properties, si nc film, chemical vapor deposition, high doping concentrations, films, samples, b doping, hall mobility