Se han preparado nanoplacas hexagonales de Bi2Se3 aislantes topológicas (2D), que son altamente aislantes en la masa y tienen un estado topológico de superficie conductor, mediante un método de "sol de EG (etilenglicol)" y se han caracterizado por microscopía electrónica de transmisión (TEM), difracción de rayos X (XRD) y microscopía electrónica de barrido (SEM). Se han fabricado nanocompuestos de Bi2Se3/PVDF (fluoruro de polivinilideno) con distintos contenidos de Bi2Se3 mediante un método de fundición en cinta. Se ha estudiado la microestructura y el rendimiento dieléctrico de los nanocompuestos de Bi2Se3/PVDF. La constante dieléctrica de las películas densas de nanocompuestos mantiene un valor relativamente bajo, de aproximadamente 16, cuando el contenido de Bi2Se3 es inferior al 12 % vol., y luego aumenta repentinamente hasta 36 con un contenido crítico de Bi2Se3 de 13 % vol., debido al efecto de percolación de la gran relación de aspecto de las nanoplacas 2D de Bi2Se3. El estudio del sistema de nanocompuestos de Bi2Se3/PVDF es propicio para la exploración de dieléctricos de alto rendimiento.
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