Resumen

Este estudio examina las propiedades dieléctricas de la película de PVDF rellena y de la película de PVDF-TrFE rellena incorporada con 1, 3, 5 y 7 porcentajes en peso de nanorrellenos de óxido de magnesio (MgO). La configuración metal-aislante-metal (MIM) demuestra que el PVDF/MgO con un 7 por ciento en peso de MgO produjo una alta constante dieléctrica (1 kHz) con una baja pérdida dieléctrica. Los espectros ATR-FTIR de PVDF/MgO (7%) indican amplios picos de enlace en 840 cm-1 y 880 cm-1, asignados a los grupos -CH2 y -CF2, respectivamente. Esto implica la presencia de un alto contenido de cristales β en la película de PVDF/MgO (7%). En la misma película se observó un desplazamiento del pico, de 1170 cm-1 a 1180 cm-1, lo que sugiere una posible transformación de γ-cristales a β-cristales. Esta película no mostraba ningún defecto aparente en su superficie. Así pues, se estableció que el PVDF incorporado con un 7% de MgO puede utilizarse para producir una película delgada nanocompuesta para dispositivos electrónicos de baja frecuencia.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:mgo, pvdf, cristales, baja pérdida dieléctrica, película fina nanocompuesta, amplios picos de enlace, cm-1, película, metal, espectros ftir
• Keywords:mgo, pvdf, crystals, low dielectric loss, nanocomposite thin film, wide bonding peaks, cm-1, film, metal, ftir spectra