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Elastic Properties and the Band Gap of AlN x P 1 - x Semiconductor Alloy: A Comparative Study of Various Ab Initio ApproachesPropiedades elásticas y brecha de banda de la aleación semiconductora AlN x P 1 - x: Un estudio comparativo de varios enfoques ab initio

Resumen

Se estudian las propiedades estructurales y elásticas de A l N x P 1 - x , una nueva aleación semiconductora, desde los primeros principios en las estructuras de zinc-blenda y wurtzita. Se comprueban y comparan los resultados del método de diferencias finitas (FD) y de la teoría de perturbaciones del funcional de la densidad (DFPT). Ambos métodos se aplican a dos enfoques diferentes de simulación de aleaciones, una supercelda de 16 y 32 átomos (para las estructuras de zinc-blenda y wurtzita, respectivamente) y el método de mezcla alquímica (AM), en el que los pseudopotenciales se mezclan de forma adecuada para formar una aleación. Todas las propiedades elásticas, incluyendo los tensores elásticos, los módulos elásticos, la relación de Poisson, el B/G y el coeficiente de relajación, así como los parámetros de la red, se calculan utilizando todos estos métodos. Se extraen conclusiones sobre el uso de los enfoques investigados en este trabajo y sobre su rendimiento. Además, en ambas estructuras cristalinas se estudia el band gap en todo el rango de composición utilizando el funcional MBJLDA. Los arcos de brecha de banda son inusualmente altos, lo que confirma los informes anteriores.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Elastic Properties and the Band Gap of AlN x P 1 - x Semiconductor Alloy: A Comparative Study of Various Ab Initio Approaches
  • Autor:M. P., Polak; M. J., Winiarski; K., Wittek; P., Scharoch
  • Tipo:Artículo
  • Año:2016
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía nuclear Dinámica molecular Metales Electrodos Acero Acero inoxidable
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