Resumen

Se ilustra una metodología ascendente para fabricar un material nanoestructurado mediante nanoclusters de Au sobre la superficie de 6H-SiC. Además, se demuestra una metodología para controlar sus propiedades estructurales mediante la autoorganización inducida térmicamente de los nanoclusters de Au. Para ello, se han estudiado experimentalmente los mecanismos cinéticos de autoorganización de los nanoclusters de Au sobre la superficie de SiC mediante microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, espectrometría de retrodispersión de Rutherford y se han modelizado teóricamente mediante un proceso de maduración. Los materiales nanoestructurados fabricados se utilizaron para sondear, mediante análisis de microscopía de fuerza atómica conductiva local, las propiedades eléctricas del contacto nano-Schottky Au nanocluster/SiC. Se dedicaron grandes esfuerzos a correlacionar las características estructurales y eléctricas: la principal observación fue la dependencia de la altura de la barrera Schottky del contacto nano-Schottky con el tamaño del cluster. Este comportamiento se interpretó teniendo en cuenta la física de unos pocos puntos cuánticos de electrones fusionados con los conceptos de transporte balístico y emisión termoiónica, encontrándose un acuerdo satisfactorio entre la predicción teórica y los datos experimentales. El nanocontacto Au nanocluster/SiC fabricado se propone como prototipo de diodo nano-Schottky integrable en circuitos nanoelectrónicos complejos.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Bioengineering Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system
• Palabras claves:nanoclusters au, nano, superficie sic, dependencia de la altura de la barrera schottky, nanocluster au de contacto schottky, análisis de microscopía de fuerza atómica de conducción local, microscopía de fuerza atómica, circuitos nanoelectrónicos complejos, nanocluster au fabricado, metodología
• Keywords:au nanoclusters, nano, sic surface, schottky barrier height dependence, schottky contact au nanocluster, local conductive atomic force microscopy analyses, atomic force microscopy, complex nanoelectronic circuits, fabricated au nanocluster, methodology