Resumen

Se investigan las propiedades de transporte eléctrico de nanocables individuales de GaAs dopados con Mg. Se demuestra que el Mg puede utilizarse con éxito como dopante no tóxico de tipo p en nanocables de GaAs. Los niveles de dopaje, con una expansión de más de dos órdenes de magnitud, y la movilidad de los huecos libres en los NW se obtuvieron mediante el análisis de las curvas de transferencia de los transistores de efecto campo. La dependencia de la temperatura de la resistividad eléctrica por encima de la temperatura ambiente muestra que la estructura politípica de los NWs modifica fuertemente los parámetros de transporte de carga de los NWs, como la energía de activación de la resistividad y la movilidad de los huecos. A temperaturas más bajas, los NW presentan una conducción de salto de rango variable. En los nanocables se identificaron claramente mecanismos de salto de rango variable tanto de Mott como de Efros-Shklovskii.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:nanocables gaas, parámetros de transporte de carga nws, conducción por salto de rango variable, mecanismos de salto de rango variable, propiedades de transporte eléctrico, transistores de efecto de campo, movilidad de huecos libres, energía de activación de la resistividad, nws, niveles de dopaje
• Keywords:gaas nanowires, nws charge transport parameters, variable range hopping conduction, variable range hopping mechanisms, electrical transport properties, field effect transistors, free holes mobility, resistivity activation energy, nws, doping levels