Resumen

Para comprender el mecanismo de contacto a partir de las propiedades eléctricas de los TFT de ZnS, se fabricó ZnS sobre SiOC como aislante de puerta sobre un sustrato de Si. El contacto óhmico sin una barrera de potencial aumentó la corriente de fuga, pero el contacto Schottky disminuyó la corriente de fuga debido a una barrera Schottky (SB). Los TFT de ZnS preparados sobre SiOC con un contacto Schottky mejoraron la estabilidad con respecto a la reducción de las tensiones de drenaje. La coincidencia estructural entre el ZnS y el SiOC aumentó la altura de la SB, como en el caso del ZnS recocido a 200°C, que hizo que el ZnS se convirtiera en una estructura amorfa. Las películas de ZnS/SiOC con una SB baja aumentaron la capacitancia y la corriente de fuga. La orientación cristalina del ZnS localizó estados defectuosos y la corriente de deriva debida a los portadores de carga de impurezas provocó la corriente de fuga a través de una SB baja cerca de voltajes cero. Pero el incremento de las corrientes de difusión en una capa de agotamiento aumentó la SB y disminuyó la corriente de fuga. Así pues, las propiedades eléctricas de los dispositivos mejoraron gracias al efecto túnel de las corrientes de difusión.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:corriente de fuga, zns, sioc, contacto schottky, zns tfts, corrientes de difusión, propiedades eléctricas, baja sb, portadores de carga de impurezas, contacto óhmico
• Keywords:leakage current, zns, sioc, schottky contact, zns tfts, diffusion currents, electrical properties, low sb, impurity charge carriers, ohmic contact