Resumen

La estructura monoclínica de Cux yBi5-ySe8 presenta múltiples alteraciones, como alteraciones sustitucionales e intersticiales distribuidas aleatoriamente por el Cu, así como alteraciones asimétricas por el Se. En este trabajo se describe la correlación de las propiedades electrónicas y térmicas con las complejidades estructurales de Cux yBi5-ySe8. Se observa que el emplazamiento intersticial del Cu desempeña un papel importante no sólo en el aumento de la conductividad eléctrica debido a la generación de portadores de electrones, sino también en la reducción de la conductividad térmica, debido principalmente a la dispersión de fonones por fluctuación de masa. Con el dopaje de impurezas en el sitio intersticial del Cu, se consiguió una conductividad térmica de la red extremadamente baja de 0,32 W-m-1-K-1 a 560 K. Estos efectos sinérgicos dan como resultado una figura de mérito adimensional (ZT) mejorada.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:sitio intersticial cu, conductividad térmica, estructura monoclínica cux ybi5-yse8, cifra adimensional mejorada, desórdenes asimétricos, conductividad eléctrica, portadores de electrones, papel importante, dopaje por impurezas, desórdenes intersticiales
• Keywords:interstitial cu site, thermal conductivity, monoclinic cux+ybi5−yse8 structure, enhanced dimensionless figure, asymmetrical disorders, electrical conductivity, electron carriers, important role, impurity doping, interstitial disorders