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Electronic and Optical Properties of Small Hydrogenated Silicon Quantum Dots Using Time-Dependent Density Functional TheoryPropiedades electrónicas y ópticas de pequeños puntos cuánticos de silicio hidrogenado mediante la teoría del funcional de la densidad en función del tiempo

Resumen

Este artículo presenta un estudio sistemático del espectro de absorción de varios tamaños de pequeños puntos cuánticos de silicio hidrogenado de simetría cuasi esférica utilizando la teoría del funcional de la densidad dependiente del tiempo (TDDFT). En este estudio se utilizó la implementación en tiempo real y en espacio real de la TDDFT que implica la propagación completa de las ecuaciones de Kohn-Sham dependientes del tiempo. Los resultados experimentales para SiH4 y Si5H12 mostraron una buena concordancia con otros cálculos anteriores y datos experimentales. A continuación, estos cálculos se ampliaron para estudiar puntos cuánticos de silicio hidrogenado de mayor tamaño, con diámetros de hasta 1,6 nm. Se observó que, en el caso de los puntos cuánticos pequeños, el espectro de absorción es de tipo atómico, mientras que, en el caso de una estructura relativamente más grande (1,6 nm), muestra un comportamiento de tipo volumétrico con una meseta continua con un pico notable. En este trabajo también se estudió el coeficiente de absorción de los puntos cuánticos de silicio en función de su tamaño. Precisamente, se dilucida la dependencia del tamaño del punto en el umbral de absorción. Se ha descubierto que los puntos cuánticos de silicio presentan una transición directa de los electrones de los estados HOMO a LUMO; por lo tanto, esta contribución teórica puede ser muy valiosa para discernir los procesos microscópicos para la futura realización de dispositivos optoelectrónicos.

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