Resumen

Se producen películas de silicio policristalino (pc-Si) mediante el proceso de cristalización inducida por aluminio (AIC) para una capa semilla de célula solar de silicio policristalino, y se analizan las propiedades estructurales y eléctricas de las películas. La estructura utilizada es vidrio/Al/ Al2O3/a-Si, y el espesor de la capa de Al2O3 se varió de 2 nm a 20 nm para investigar la influencia del espesor de la capa de Al2O3 en la formación del silicio policristalino. La temperatura y el tiempo de recocido se fijaron en 400∘C y 5 horas, respectivamente, para las condiciones del proceso AIC. Como resultado, se observa que el tamaño medio de grano de las películas de pc-Si es rápidamente menor con el aumento del espesor de la capa de Al2O3, mientras que la calidad de la película, como defectos y movilidad Hall, se degradó gradualmente con sólo una pequeña diferencia. Obtuvimos un tamaño de grano medio máximo de 15 μm para la película de pc-Si con un espesor de capa de Al2O3 de 4 nm. La mejor resistividad y la movilidad Hall fueron de 6,1×10-2 Ω-cm y 90,91 cm2/Vs, respectivamente, en el caso de una capa de óxido de Al de 8 nm de espesor.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:capa de al2o3, espesor, movilidad hall, silicio policristalino, tamaño medio de grano máximo, capa semilla de célula solar, capa gruesa de óxido de al, condiciones de proceso aic, espesor de la capa de al2o3, tamaño medio de grano
• Keywords:al2o3 layer, thickness, hall mobility, polycrystalline silicon, maximum average grain size, solar cell seed layer, thick al oxide layer, aic process conditions, al2o3 layer thickness, average grain size