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Structural and Electronic Properties of Low-Dimensional C-Nanoassemblies and Possible Analogues for Si (and Ge)Propiedades estructurales y electrónicas de nanoensamblajes de C de baja dimensión y posibles análogos para Si (y Ge)

Resumen

La naturaleza deslocalizada de los π-electrones en los compuestos basados en el carbono ha abierto una enorme vía para nuevos desarrollos fundamentales y tecnológicos utilizando materiales basados en el carbono de diferente dimensionalidad (desde clusters, a superficies, nanotubos y grafeno, entre otros). El éxito de este campo ha impulsado la propuesta de que podrían formarse otras estructuras inorgánicas basadas en B y N y, más recientemente, en Si y Ge, con propiedades estructurales, mecánicas y electrónicas específicas. En este trabajo ofrecemos un análisis de las similitudes de ambos campos partiendo del análisis de la molécula de Si6H6, análoga a la molécula de benceno pero ahora no planar. Después pasamos al estudio de los análogos bidimensionales (abombados) del grafeno, pero ahora formados por Si y Ge. Del mismo modo, estudiamos los compuestos no planos basados en boro y en compuestos de boro-carbono-nitrógeno. En particular, nos centramos en las propiedades mecánicas de esos nuevos materiales que presentan una rigidez, resiliencia y flexibilidad muy elevadas. Las posibles aplicaciones en los campos de la catálisis, la lubricación y los dispositivos electrónicos y fotónicos parecen ahora un subproducto probable. También abordamos las direcciones que pueden tomar en el futuro las propiedades superconductoras del grafeno, entre otros campos.

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