Resumen

Se han depositado películas delgadas de CdS dopadas con Cu y con niveles variables de dopaje sobre un sustrato de vidrio recubierto con óxido de indio y estaño mediante pirólisis ultrasónica por pulverización sencilla y rentable. Se investigó la influencia de la concentración de dopante y del tratamiento de recocido sobre la estructura y las propiedades fotoelectroquímicas de las películas. Las películas depositadas se caracterizaron por DRX, MEB y espectros UV-Vis. Además, las películas se investigaron mediante medidas electroquímicas y fotoelectroquímicas en relación con la división del agua para la conversión de la energía solar. Los resultados mostraron que la impureza de Cu puede causar un cambio estructural y un desplazamiento al rojo del borde de absorción. Se observó que la fotocorriente puede mejorarse mediante el proceso de dopado de Cu en las películas no recocidas bajo iluminación débil. La muestra no recocida dopada con 5 at. u obtuvo la máxima IPCE, que alcanzó alrededor de 45 t 0,3 V frente al potencial SCE bajo fotoirradiación de 420 nm de longitud de onda. Además, el CdS de tipo p se formó con un dopado de 4 at.%~10 at. u después de 450°C 2 h de recocido en vacío.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:películas, at. u, pirólisis ultrasónica efectiva por pulverización, óxido de indio y estaño, fotoirradiación de longitud de onda nm, conversión de energía solar, niveles variables de dopaje, impureza cu, potencial sce, espectros vis
• Keywords:films, at.% cu, effective ultrasonic spray pyrolysis, indium tin oxide, nm wavelength photoirradiation, solar energy conversion, variable doping levels, cu impurity, sce potential, vis spectra