Resumen

Se prepararon películas delgadas de CuInS2 por sulfuración de películas precursoras de Cu-In mediante pulverización catódica por magnetrón y las películas resultantes se caracterizaron mediante difracción de rayos X, espectrometría Raman y espectrofotometría UV-Vis. Los resultados demuestran que una potencia de sputtering de 80-120 W es más adecuada para las películas precursoras de Cu-In sputtered y puede utilizarse para obtener películas de CuInS2 con buena cristalinidad mediante tratamiento térmico de vulcanización. Se demostró que la presión del gas de sputtering y la temperatura de sulfurización influyen en la calidad de la película debido a procesos inadecuados durante la fase CuInS2. Se observaron impurezas de CuIn11S17 y CuS2 en la composición de las láminas delgadas de CuInS2 preparadas. La optimización de los parámetros de proceso obtenidos a partir de los datos experimentales se determinó como una potencia de pulverización catódica de 80~120 W, una presión de gas de pulverización catódica de 0,6-0,8 Pa, una temperatura de tratamiento térmico de 450~470°C y un tiempo de mantenimiento de 2~3 horas. La brecha de banda óptica obtenida para las películas delgadas de CuInS2 se sitúa entre 1,48 y 1,5 eV.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:presión del gas de pulverización catódica, películas delgadas, películas precursoras, temperatura de tratamiento térmico, brecha de banda óptica, tratamiento térmico de vulcanización, películas cuins2, fase cuins2, impurezas cus2, espectrometría raman
• Keywords:sputtering gas pressure, thin films, precursor films, heat treatment temperature, optical band gap, vulcanization heat treatment, cuins2 films, cuins2 phase, cus2 impurities, raman spectrometry