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Physical Properties of ZnO Thin Films Codoped with Titanium and Hydrogen Prepared by RF Magnetron Sputtering with Different Substrate TemperaturesPropiedades físicas de películas delgadas de ZnO codopadas con titanio e hidrógeno preparadas mediante pulverización catódica por magnetrón de RF con diferentes temperaturas de sustrato

Resumen

Se prepararon películas delgadas transparentes conductoras de óxido de zinc dopado con titanio (TZO) sobre sustratos de vidrio mediante pulverización catódica por magnetrón de RF utilizando como blanco ZnO dopado con TiO2 al 1,5% en peso. Se investigaron las propiedades eléctricas, estructurales y ópticas de las películas en función de las relaciones de flujo H2/(Ar H2) ( R H ) y de las temperaturas del sustrato ( T S ). El valor óptimo de R H para conseguir una película delgada TZO:H de alta conductividad disminuyó del 10% al 1% cuando la T S aumentó de RT a 300°C. La resistividad más baja de 9,2 × 10 - 4 Ω-cm se obtuvo con T S = 100 °C y R H = 7,5%. Los patrones de difracción de rayos X mostraron que todas las películas de TZO:H tenían una estructura hexagonal wurtzita con una orientación preferente en la dirección (002). El análisis de microscopía de fuerza atómica reveló que la rugosidad de la superficie de la película aumentaba con el incremento de R H . La transmitancia visible media disminuía con el aumento de R H para la película depositada a RT, mientras que no había cambiado considerablemente con diferentes R H para las películas depositadas a 300°C. El bandgap óptico aumentó al aumentar R H, lo que concuerda con el efecto Burstein-Moss. La figura de méritos indicaba que T S = 100 °C y R H = 7,5 % eran las condiciones óptimas para las películas delgadas de TZO como aplicaciones de electrodos conductores transparentes.

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