Resumen

Se prepararon matrices de nanorodos (NRA) de TiO2 dopados con N mediante el recocido de matrices de nanorodos (NRA) de TiN depositados con la técnica de deposición en ángulo oblicuo (OAD). Los NRAs de TiN se recocieron a 330°C durante diferentes tiempos (5, 15, 30, 60 y 120 min). Las brechas de banda de los NRAs de TiN recocidos (es decir, los NRAs de TiO2 dopados con N) muestran una variación significativa con el tiempo de recocido, y pueden controlarse fácilmente variando el tiempo de recocido. Todas las NRAs de TiO2 dopadas con N muestran una mejora en la intensidad de la fotocorriente en luz visible en comparación con las de TiO2 y TiN puros, y la que se ha recocido durante 15 min muestra la máxima intensidad de fotocorriente propia de la concentración óptima de dopante N. Los resultados muestran que las NRAs de TiO2 dopadas con N muestran una variación significativa con el tiempo de recocido, y pueden controlarse fácilmente variando el tiempo de recocido. Los resultados muestran que las NRAs de TiO2 dopadas con N, cuyo band gap puede ajustarse fácilmente, son un material muy prometedor para su aplicación en fotocatálisis.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:tio2 nras, estaño nras, tiempo de recocido, matrices de nanorods de estaño, matrices de nanorods de tio2, intensidad máxima de fotocorriente, deposición en ángulo oblicuo, nras, min, band gap
• Keywords:tio2 nras, tin nras, annealing time, tin nanorod arrays, tio2 nanorod arrays, maximum photocurrent intensity, oblique angle deposition, nras, min, band gap