Resumen

No hace mucho, desarrollamos un modelo teórico para describir un conjunto de reacciones químicas que potencialmente pueden ocurrir durante el proceso de obtención de películas de Óxido Rico en Silicio (SRO), un material fuera de estequiometría, independientemente de la técnica utilizada para hacer crecer dichas películas. Con el fin de dilucidar las propiedades físico-químicas de dicho material, sugerimos las reacciones químicas que ocurren durante el proceso de crecimiento de películas de SRO en particular para el caso de la técnica de Deposición Química en Vapor a Baja Presión (LPCVD) en el modelo mencionado. El presente trabajo representa un paso más con respecto al trabajo anterior (publicado), ya que está dedicado al cálculo mediante Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) de las propiedades ópticas y electrónicas de las estructuras de SRO as-grown y annealed predichas teóricamente en base al trabajo anterior. En este trabajo, sugerimos y evaluamos algunos tipos de moléculas o nanoestructuras resultantes y predecimos teóricamente, aplicando la DFT, la contribución que pueden tener al fenómeno de luminiscencia (PL), que se mide experimentalmente en las películas de SRO. Evaluamos las propiedades ópticas y electrónicas tanto de las estructuras crecidas como de las recocidas.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:películas sro, reacciones químicas, propiedades electrónicas, deposición química de vapor a baja presión, teoría del funcional de la densidad, óxido rico en silicio, material fuera de estequiometría, propiedades físico-químicas, dft, proceso
• Keywords:sro films, chemical reactions, electronic properties, low pressure chemical vapor deposition, density functional theory, silicon rich oxide, off stoichiometry material, physical chemistry properties, dft, process