Resumen

Se prepararon heteroestructuras de aleación de Heusler Co2MnSi/Al2O3 sobre sustratos monocristalinos de Ge(001) mediante pulverización catódica por magnetrón tanto para películas finas de Co2MnSi como de Al2O3 como candidato prometedor para dispositivos espintrónicos basados en semiconductores de futura generación. Se obtuvo una magnetización de saturación suficientemente alta de 781 emu/cm3 para la película delgada de Co2MnSi. Además, las características de corriente frente a voltaje (I-V) mostraron que la conducción túnel era dominante en la heteroestructura Co2MnSi/Al2O3 (2 nm)/Ge(001) y las características I-V dependían ligeramente de la temperatura. Las características de conductancia frente al voltaje (dI/dV-V) indicaron que la altura de la barrera de potencial en la interfaz Co2MnSi/Al2O3 era casi igual a la de la interfaz n-Ge/Al2O3 para la heteroestructura Co2MnSi/Al2O3/Ge(001) preparada.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:interfaz al2o3, películas delgadas al2o3, película delgada co2mnsi, alta magnetización de saturación, altura de la barrera de potencial, al2o3, co2mnsi, características, heteroestructura, tensión
• Keywords:al2o3 interface, al2o3 thin films, co2mnsi thin film, high saturation magnetization, potential barrier height, al2o3, co2mnsi, characteristics, heterostructure, voltage