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Microstructural and Dielectric Properties of Zr Doped Microwave Sintered C a C u 3 T i 4 O 12 Synthesized by Sol-Gel RoutePropiedades microestructurales y dieléctricas del C a C u 3 T i 4 O 12 sinterizado por microondas y dopado con Zr, sintetizado por la vía del sol-gel

Resumen

Se sintetizaron muestras policristalinas con la fórmula química CaCu3 Ti 4 - x Zr x O12 ( x = 0 , 0,02, 0,1, 0,2, 0,5 y 0,1) CCTZO a partir de soluciones de nitrato metálico por el método sol-gel, seguido de tratamientos térmicos convencionales y por microondas. El patrón de difracción de rayos X del polvo calcinado a 800°C en un horno convencional durante 3 horas mostró la formación de una sola fase. La estructura cristalina no cambió al dopar con circonio y se mantuvo cúbica en las cinco composiciones estudiadas. La morfología de la superficie de las muestras sinterizadas a 1000°C en horno de microondas durante 10 minutos se observó mediante un microscopio electrónico de barrido de alta resolución (HR-SEM). Los tamaños de grano estaban en el rango de 250 nm-5 μm para estas muestras. Los resultados del HRSEM muestran que el dopaje con Zr mejoró el crecimiento o la densificación del grano. La espectroscopia de energía dispersiva de rayos X (EDX) confirmó la presencia de Zr. Las características dieléctricas del CCTO dopado con Zr se estudiaron con un medidor de LCR en el rango de frecuencia de 50 Hz-1 MHz. Se observó una constante dieléctrica muy alta de 21.500 para la muestra dopada con Zr (0,02 mol%) a 50 Hz.

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