Resumen

Los semiconductores de nitruro del grupo III con bandas de separación directas han adquirido recientemente una importancia creciente en las aplicaciones de optoelectrónica y microelectrónica debido a sus bandas de separación directas, que cubren todo el espectro visible y gran parte de la gama ultravioleta. Los grandes avances en los semiconductores de nitruro III-V de banda ancha han conducido recientemente a la producción comercial de dispositivos electrónicos de alta temperatura y alta potencia, diodos emisores de luz (LED) y diodos láser (LD). En este estudio, se cultivaron nanocables de GaN en reactores horizontales mediante deposición química en fase vapor (CVD) empleando un mecanismo vapor-sólido. Muchos estudios han descrito cómo controlar los diámetros de los hilos en el proceso catalítico en fase líquida, pero las nanoestructuras unidimensionales, que se cultivan mediante un proceso no catalítico, están relativamente inexploradas debido al reto que supone producir materiales sintéticos de alta calidad y tamaño controlado. Sin embargo, los mecanismos de vapor-sólido para fabricar nanohilos sintetizados son sencillos de aplicar. Obtuvimos resultados de nanoestructuras de GaN que tenían una orientación preferente en el eje c con respecto al sustrato. La morfología y cristalinidad de los nanohilos de GaN se caracterizaron mediante microscopía electrónica de barrido de emisión de campo y difracción de rayos X. Las composiciones químicas del GaN con Mn se analizaron mediante espectroscopia de dispersión de energía de rayos X. Las propiedades ópticas se investigaron mediante medidas de fotoluminiscencia y de luminiscencia catódica.

• Materias:Celda de memoria Arquitectura informática Levitación magnética Diseño Kansei Análisis de algoritmos
• Subjects:Memory cell Computer architecture Magnetic levitation Kansei Design Algorithm analysis
• Palabras claves:brecha de banda directa, nanocables de GaN, semiconductores de nitruro del grupo III, brecha de banda ancha III, semiconductores de nitruro V, deposición química en fase vapor, todo el espectro visible, vapor, nanoestructuras de GaN, Principales avances
• Keywords:direct band gaps, GaN nanowires, Group III nitride semiconductors, wide band gap III, V nitride semiconductors, chemical vapor deposition, whole visible spectrum, vapor, GaN nanostructures, Major developments