Resumen

Hemos preparado con éxito películas de Cu-Al-O sobre sustratos de silicio (100) y cuarzo con un blanco compuesto de cobre y aluminio mediante el método de sputtering por magnetrón de radiofrecuencia (RF). Hemos relacionado las propiedades estructurales y óptico-eléctricas de las películas con la relación de área de sputtering de Cu/Al para el blanco (rCu/Al). La tasa de deposición de la película y el rCu/Al pueden ajustarse mediante una función exponencial. El rCu/Al desempeña un papel crítico en la constitución de la fase final y la orientación de crecimiento preferida de la fase CuAlO2, afectando así a la morfología de la superficie de la película de forma significativa. La película con fase principal de CuAlO2 se ha obtenido con un rCu/Al del 45%. Las películas muestran una conductividad de tipo p. Con el aumento de rCu/Al, la resistividad eléctrica disminuye primero y después vuelve a aumentar. Con un rCu/Al del 45%, se obtiene una resistividad eléctrica óptima de 80 Ω-cm, siendo la transmitancia óptica del 72%-79% en la región visible (400-760 nm). La brecha de banda directa y la brecha de banda indirecta correspondientes se estiman en 3,6 eV y 1,7 eV, respectivamente.

• Materias:Redes de telecomunicaciones Radar Teoría de Antenas Onda electromagnética Redes Inalámbricas
• Subjects:Telecommunications networks Radar Antenna theory Electromagnetic waves Wireless Networks
• Palabras claves:rcu, película, morfología de la superficie de la película, orientación de crecimiento preferida, fase de cualo2, relación de cu, constitución de la fase final, relación de área de sputtering, métodos de sputtering por magnetrón, brecha de banda directa
• Keywords:rcu, film, film surface morphology, preferred growth orientation, phase of cualo2, ratio of cu, final phase constitution, sputtering area ratio, magnetron sputtering methods, direct band gap