Resumen

El interés por desarrollar dispositivos optoelectrónicos integrados en un mismo chip de silicio ha motivado el estudio de nanocristales de silicio (Si-ncs) embebidos en películas de SiOx (óxidos de silicio no estequiométricos). En este trabajo, los Si-ncs en películas de SiOx se obtuvieron mediante deposición química en fase vapor por hilo caliente (HWCVD) a 800, 900 y 1000°C. Los modos de vibración de las películas de SiOx se determinaron mediante medidas FTIR. Además, se relacionaron FTIR y EDAX para obtener la composición adecuada de las películas. Los estudios de micro-Raman en la microestructura de las películas de SiOx revelan una transición de la fase amorfa a la nanocristalina cuando aumenta la temperatura de crecimiento; así, se detectan Si-ncs. Las medidas de fotoluminiscencia (PL) muestran una emisión amplia de 400 a 1100 nm. Esta emisión se relacionó tanto con los Si-ncs como con los defectos interfaciales presentes en las películas de SiOx. La existencia de Si-ncs entre 3 y 6 nm se confirmó mediante HRTEM.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:películas de siox, ncs, deposición química de vapor con hilo caliente, aumentos de temperatura de crecimiento, óxidos de silicio no estequiométricos, mismo chip de silicio, películas, mediciones ftir, estudios raman, nanocristales de silicio
• Keywords:siox films, ncs, hot wire chemical vapor deposition, growth temperature increases, nonstoichiometric silicon oxides, same silicon chip, films, ftir measurements, raman studies, silicon nanocrystals