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InGaAs Quantum Dots on Cross-Hatch Patterns as a Host for Diluted Magnetic Semiconductor MediumPuntos cuánticos de InGaAs en patrones de trama cruzada como soporte para un medio semiconductor magnético diluido

Resumen

La densidad de almacenamiento en soporte magnético aumenta a un ritmo exponencial. El tamaño de la región magnética que almacena un bit de información disminuye proporcionalmente y acabará alcanzando dimensiones cuánticas. Los puntos cuánticos magnéticos (QD) pueden cultivarse utilizando un semiconductor como anfitrión y añadiéndole componentes magnéticos para conferirles propiedades magnéticas. Nuestros resultados muestran cómo la epitaxia de haces moleculares y, en particular, la heteroepitaxia con desajuste de red pueden utilizarse para formar un huésped semiconductor alineado lateralmente y de alta densidad en una sola pasada de crecimiento sin necesidad de litografía ni grabado. Se presentan resultados representativos de la disposición de los semiconductores QD en diversas bandas y patrones cruzados.

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