Resumen

El trabajo presentado se enfoca en dos regiones de la estructura MOS ubicadas en las proximidades de la interfaz semiconductor/dieléctrico, en particular: en parte de la capa dieléctrica y en una capa delgada del sustrato. En el trabajo presentado se discute la aplicación de la absorción como una herramienta que puede variar la profundidad de absorción de la luz de excitación en el sustrato semiconductor. Los cambios en la profundidad de absorción de la luz visible permiten obtener la señal Raman de lugares en el sustrato ubicados a diferentes distancias de la interfaz dieléctrico/semiconductor. La serie de espectros Raman obtenidos a partir de la excitación visible en el caso de una profundidad de absorción variable permitió analizar la estructura del sustrato en función de la distancia desde la interfaz. Hasta ahora no se ha discutido un estudio Raman de ultravioleta profundo con respecto a parte de la capa de dióxido de silicio colocada directamente en la interfaz, lo que hace posible el análisis de la estructura de esta parte de la capa dieléctrica. La comparación de los datos Raman reportados en este trabajo con la estructura de la interfaz silicio/dióxido de silicio obtenida de otras técnicas experimentales demuestra la aplicabilidad de la metodología propuesta.

• Materias:Espectroscopia Nanocompuestos Oxidación electrolítica Espectrometría de masas Parámetros cinéticos
• Subjects:Spectroscopy Nanocomposites Electrolytic oxidation Mass spectrometry Kinetic parameters
• Palabras claves:Regiones; Estructura MOS; Absorción; Semiconductor; Capa dieléctrica; Sustrato
• Keywords:Regions; MOS structure; Absorption; Semiconductor; Dielectric layer; Substrate