Resumen

El fosforeno se ha convertido en un miembro importante de los nanomateriales estratificados desde su descubrimiento para la fabricación de nanodispositivos. En los experimentos, el fosforeno prístino muestra semiconductividad de tipo p sin excepción. Para alcanzar su plena capacidad, la semiconducción de tipo n es una necesidad. En este trabajo se describe la ingeniería de la estructura electrónica del fosforeno mediante el dopaje de átomos metálicos superficiales. Se han considerado cinco elementos metálicos, Cu, Ag, Au, Li y Na, que podrían formar adsorciones estables sobre el fosforeno. Estos elementos muestran patrones en su configuración electrónica con un electrón de valencia en su orbital s más externo. Entre los tres elementos del grupo 11, el Cu puede inducir semiconductores degenerados de tipo n, mientras que Ag y Au sólo pueden introducir estados de impureza localizados. La capacidad distinta del Cu, en comparación con la Ag y el Au, se atribuye principalmente a la electronegatividad. El Cu tiene una electronegatividad menor y, por lo tanto, denota sus electrones al fosforeno, desplazando el nivel de Fermi hacia la banda de conducción, lo que da lugar a la semiconducción de tipo n. Ag y Au tienen una electronegatividad mayor y apenas transfieren electrones al fosforeno. Estudios paralelos de dopaje con Li y Na corroboran estos resultados. Además, el dopaje con Cu regula eficazmente la función de trabajo del fosforeno, que disminuye gradualmente al aumentar la concentración de Cu. También es interesante que el Au apenas puede cambiar la función de trabajo del fosforeno.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:fosforeno, tipo semiconductor, función de trabajo, dopaje de átomos metálicos superficiales, soporte de dopaje na, ingeniería de estructura electrónica, elementos, concentración de cu, dopaje de cu, nivel de fermi
• Keywords:phosphorene, type semiconducting, work function, surface metal atom doping, na doping support, electronic structure engineering, elements, cu concentration, cu doping, fermi level