Se presenta un receptor de baja potencia con un frente de RF transparente a la impedancia. Al utilizar el mezclador pasivo de 4 vías y la retroalimentación activa de LNA, el perfil de impedancia de banda base se transfiere aún más a la entrada del receptor. Mientras que un emparejamiento de entrada definido por LO se forma en el frente de RF, se mejora la linealidad de toda la cadena del receptor. Además, se emplea la técnica de superposición derivativa para cancelar la distorsión del LNA CMOS. Se diseña un filtro activo-RC de 3er orden con OTA compensado de avance de corriente eficiente. Y un convertidor digital a tiempo (DTC) asistido por un lazo de fase digital todo en uno fraccional-N (ADPLL) se diseña conjuntamente con el receptor para cumplir con los requisitos de IoT. El receptor presentado se fabrica en tecnología CMOS de 55nm con un área activa de 2.3mm y un consumo de energía de 20mW. Los resultados de las mediciones muestran que
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