Resumen

Los diodos resonantes en túnel (RTD) han encontrado numerosas aplicaciones en circuitos digitales y analógicos de alta velocidad debido a su resistencia diferencial negativa (NDR) plegada en las características de corriente-tensión (I-V) y a su tamaño nanométrico. Gracias a la sustitución de la resistencia de estado en la célula estándar por una RTD, se puede obtener una red neural/no lineal celular basada en RTD (RTD-CNN), en la que la célula no requiere ni auto-retroalimentación ni una salida no lineal, siendo así más compacta y versátil. En este artículo se estudia en detalle la estructura de la RTD-CNN y se investigan sus propiedades de tolerancia a fallos en el procesamiento de imágenes, tomando como ejemplos la detección de líneas horizontales y la extracción de bordes. Una serie de simulaciones por ordenador demuestra las prometedoras capacidades de tolerancia a fallos de la RTD-CNN.

• Materias:Análisis Matemático Álgebra Ingeniería Matemática aplicada Lógica matemática
• Subjects:Mathematical Analysis Algebra Engineering Applied Mathematics Mathematical logic
• Palabras claves:rtd, cnn, detección de líneas horizontales, resistencia diferencial negativa, diodos tuneladores resonantes, circuitos analógicos, simulaciones por ordenador, extracción de bordes, procesamiento de imágenes, tamaño nanométrico
• Keywords:rtd, cnn, horizontal line detection, negative differential resistance, resonant tunneling diodes, analog circuits, computer simulations, edge extraction, image processing, nanometer size