Resumen

Este documento presenta un análisis completo del efecto kink en el MOSFET SOI y propone un método para eliminar el efecto kink observado en las características de salida corriente-voltaje de un dispositivo MOSFET SOI parcialmente agotado. En este método, se introduce óxido posterior para el dispositivo en regiones seleccionadas debajo de la fuente y el drenaje y no de manera continua como en un dispositivo SOI, lo que da lugar a lo que se denomina una estructura SELBOX. Se estudió una estructura selectiva de óxido posterior con diferentes longitudes de brecha y espesores. Los resultados obtenidos a través de simulaciones numéricas indican que la estructura propuesta puede reducir significativamente el kink mientras aún conserva las principales ventajas ofrecidas por la estructura SOI convencional. Aunque la nueva estructura es capaz de eliminar el kink, para brechas estrechas el dispositivo aún puede presentar cierto efecto kink. También se desarrolla un modelo de dispositivo que explica el comportamiento kink de la estructura para diferentes longitudes de brecha.

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Análisis; Efecto kink; MOSFET SOI; Salida de corriente-voltaje; Estructura SELBOX; óxido posterior.
• Keywords:Analysis; Kink effect; SOI MOSFET; Current-voltage output; SELBOX structure; Back oxide.