Resumen

El control eficaz de las impurezas de oxígeno en el silicio multicristalino es necesario para la producción de un cristal de alta calidad. En este artículo se describen el principio básico y algunas técnicas para reducir las impurezas de oxígeno en el silicio policristalino durante el proceso de solidificación unidireccional. La impureza de oxígeno en el silicio multicristalino procede principalmente del crisol de sílice. Para reducir eficazmente la impureza de oxígeno, es esencial reducir la generación de oxígeno y mejorar la evaporación de oxígeno. Para reducir la generación de oxígeno, es necesario evitar o debilitar cualquier reacción química con el crisol, y para mejorar la evaporación de oxígeno, es necesario controlar la dirección de convección de la masa fundida y reforzar el flujo de gas por encima de la masa fundida. Para validar los métodos anteriores, se ha llevado a cabo una simulación numérica global, que incluye la transferencia de calor en el horno global, la convección de gas argón en el interior del horno y el transporte de impurezas tanto en la región de la masa fundida como en la del gas.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:impureza de oxígeno, silicio multicristalino, evaporación de oxígeno, generación de oxígeno, simulación numérica global, convección de gas argón, proceso de solidificación unidireccional, fundido, control efectivo, métodos anteriores
• Keywords:oxygen impurity, multicrystalline silicon, oxygen evaporation, oxygen generation, global numerical simulation, argon gas convection, unidirectional solidification process, melt, effective control, above methods