La película delgada de ZnO se fabricó mediante oxidación térmica del Zn a 600°C durante 1 h. Se observó una superficie con líneas y mancuernas nanoestructuradas mediante microscopio electrónico de barrido (SEM). El dispositivo de resistencia de ZnO se formó tras la siguiente metalización Ti/Au. Se caracterizó la resistencia del dispositivo en diferentes entornos de presión de oxígeno en la oscuridad y bajo iluminación de luz ultravioleta (UV) procedente de la lámpara de mercurio con un filtro de paso corto. La resistencia aumenta con el incremento de la presión de oxígeno. La resistencia disminuye y la respuesta aumenta con el aumento de la intensidad luminosa. Para explicar estos resultados se utilizaron modelos que tienen en cuenta la variación de la altura de la barrera causada por las especies adsorbidas relacionadas con el oxígeno. La tecnología de iluminación con luz ultravioleta demuestra ser un método eficaz para mejorar la respuesta de detección de este sensor de oxígeno con resistencia de ZnO.
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