Resumen

Se investigaron óxidos de hafnio dopados con cerio (CexHf1-xO2) y óxidos de circonio dopados con lantano (LaxZr1-xO2). Las constantes dieléctricas más elevadas, k, se obtuvieron a partir de óxidos ligeramente dopados con un contenido en La de x=0,09 y un contenido en Ce de x=0,1, para los que se obtuvieron valores k de 33~40. La relajación dieléctrica parece estar relacionada con el tamaño de los granos de cristal formados durante el recocido, que dependía del nivel de dopaje. Se utilizaron modelos físicos y matemáticos para analizar la relación entre los valores k y las frecuencias. Las variaciones de los valores k hasta frecuencias de megahercios tanto para CexHf1-xO2 como para LaxZr1-xO2 se simulan basándose en las relaciones Curie-von Schweidler (CS) o Havriliak-Negami (HN). En cuanto al CexHf1-xO2 y LaxZr1-xO2 ligeramente dopados, los datos extraídos se modelan mejor mediante la ley HN, mientras que LaxZr1-xO2 con un nivel de dopaje de x=0,22 a 0,63 se modelan mejor basándose en la ley CS.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:laxzr1-xo2, cexhf1-xo2, valores, nivel de dopaje, constantes dieléctricas máximas, ley cs, contenido de ce, ley hn, contenido de la, granos de cristal
• Keywords:laxzr1−xo2, cexhf1−xo2, values, doping level, highest dielectric constants, cs law, ce content, hn law, la content, crystal grains