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Performance of GaN-Based LEDs with Nanopatterned Indium Tin Oxide ElectrodeRendimiento de los LED basados en GaN con electrodo de óxido de indio y estaño nanopatrónico

Resumen

El óxido de indio y estaño (ITO) se ha aplicado ampliamente en los diodos emisores de luz (LED) como capa transparente de dispersión de corriente. En este trabajo, se investiga el rendimiento de los LEDs de luz azul basados en GaN con electrodo ITO nanopatterned. Se fabrican matrices periódicas de nanopilares de ITO mediante grabado por plasma acoplado inductivamente con una máscara de nanoesfera de poliestireno. La eficiencia de extracción de luz (LEE) de los LEDs puede mejorarse mediante contactos óhmicos ITO nanopatrónicos. La intensidad de salida de luz de los LED fabricados con electrodos ITO nanopatrónicos es un 17% superior a la de los LED convencionales a una corriente de inyección de 100 mA. La simulación tridimensional en el dominio del tiempo por diferencias finitas concuerda bien con el resultado experimental. Este método puede servir como enfoque práctico para mejorar la LEE de los LEDs.

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