Resumen

Se ha estudiado el rendimiento acústico de diferentes estructuras de dispositivos de doble región de deriva (DDR) de heterounión anisotípica de túnel mixto y tiempo de tránsito de avalancha (MITATT). Los dispositivos están diseñados para operar a frecuencias de banda W de ondas milimétricas. Se ha desarrollado un modelo de simulación para estudiar la densidad espectral de ruido y la medida de ruido del dispositivo. Se consideran dos fracciones molares diferentes y de Ge y cuatro tipos de estructura de dispositivo correspondientes para la simulación. Los resultados muestran que la estructura DDR de heterounión de -Si del dispositivo MITATT sobresale sobre todas las demás estructuras en cuanto a la densidad espectral de ruido (sec) y la medida de ruido (33.09dB), así como las propiedades de ondas milimétricas como la eficiencia de conversión de CC a RF (20.15%) y la potencia de salida en CW (773.29mW).

• Materias:Circuitos Comportamiento eléctrico Microcontrolador Topología de lógica Transistores
• Subjects:Circuits Electrical behavior Microcontroller Logic topology Transistors
• Palabras claves:Ruido; MITATT; Dispositivo; Estructura; Ondas milimétricas; Simulación
• Keywords:Noise; MITATT; Device; Structure; Millimeter-wave; Simulation