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Transition Frequencies and Negative Resistance of Inductively Terminated CMOS Buffer Cell and Application in MMW LC VCOFrecuencias de transición y resistencia negativa de la celda de búfer CMOS terminada inductivamente y su aplicación en el VCO LC de MMW.

Resumen

Este artículo investiga las frecuencias de transición () de un buffer seguidor de fuente CMOS con terminación inductiva para el comportamiento de resistencia negativa en el que la resistencia de derivación efectiva al observar la fuente de la celda del buffer cambia de signo. Las posibles frecuencias límite de oscilación se determinan en base a resonadores formados por un inductor de compuerta a tierra y una capacitancia parásita en la compuerta de la celda del buffer de resistencia negativa. Se explora el rango de frecuencias de oscilación de esta celda de buffer de resistencia negativa para variaciones en los diferentes parámetros/elementos del circuito. Posteriormente, se simula un oscilador de ondas milimétricas (MMW) utilizando la tecnología de proceso CMOS de IBM de 130nm que puede operar a 70GHz. Se utilizó un modelo MOSFET de alta frecuencia para estas simulaciones. La celda tenía una disipación de potencia extremadamente baja de menos de 3mW. Se realizaron extensas

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