Se depositaron películas de carbono sobre sustratos de GaAs mediante deposición láser pulsada a bajo vacío (10-15 mTorr) a partir de un blanco de grafito. Las películas se prepararon con diferentes números de pulsos (1500 a 6000) con una fluencia fija (32 J/cm2), una distancia entre el blanco y el sustrato y una frecuencia de pulsos utilizando un láser Q:Switched Nd:YAG a 1064 nm que funcionaba a una frecuencia de 10 Hz y producía pulsos en modo ráfaga con una duración total por disparo de 49 ns. Las películas se caracterizaron mediante microscopía óptica, microscopía de fuerza atómica, espectroscopía de descomposición inducida por láser, difracción de rayos X y espectroscopía de fotoluminiscencia. Las películas depositadas eran visualmente lisas y adherentes, pero por otro lado se observaron indicios de salpicaduras en todas las películas. El espesor varió linealmente con el número de pulsos de 8 a 42 μm con diferencias máximas de altura en torno a 700 nm. Se encontró carbono hexagonal y ortorrómbico en todas las películas y no hubo evidencia de incorporación de nitrógeno u oxígeno durante el proceso de ablación. Se observaron amplias bandas de fotoluminiscencia y, en particular, picos de emisión a 475-480 nm, 540-550 nm, 590 nm y 625 nm. Las bandas tienden a desplazarse a longitudes de onda más bajas con el grosor de la película, lo que sugiere que la luminiscencia procede de nanoestructuras salpicadas influidas por el sustrato semiconductor. Este efecto particular del sustrato desaparece a medida que aumenta el grosor de las películas.
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