Resumen

Hemos desarrollado un nuevo modelo de transistor de efecto de campo de heterounión AlGaN/GaN compacto basado en la física y dividido por zonas, adecuado para su uso en simuladores de circuitos de microondas de equilibrio armónico comerciales. El nuevo modelo está programado en Verilog-A, un lenguaje de modelado compacto estándar de la industria. El nuevo modelo permite determinar el rendimiento de corriente continua, pequeña señal y gran señal de radiofrecuencia del transistor en función de la estructura geométrica del dispositivo y las características de diseño, los parámetros de composición de materiales y las condiciones de funcionamiento en corriente continua y radiofrecuencia. El nuevo modelo HFET basado en la física no requiere una extracción extensa de parámetros para determinar los valores de los elementos del modelo, como comúnmente se emplea en los modelos de transistor basados en circuitos equivalentes tradicionales. El nuevo modelo ha sido calibrado y verificado. Informamos de una muy buena concordancia entre el rendimiento de corriente continua y de radio

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Desarrollado; Compacto; Basado en física; Modelo de transistor AlGaN/GaN
• Keywords:Developed; Compact; Physics-based; AlGaN/GaN; Transistor; Model