Resumen

La tecnología de pulido químico-mecánico (CMP) se utiliza ampliamente en el planarizado global de componentes de gran valor y tamaño en la industria aeroespacial. Se preparó un nanopolvo de SiO2 por el método sol-gel y se mezcló en una pasta de pulido para el CMP del sustrato de acero. El tamaño de los abrasivos de SiO2 se controló variando las condiciones de la reacción sol-gel. Se estudió la eficacia de pulido del nano-SiO2 y se investigó el mecanismo de CMP con abrasivos de tamaño nanométrico. Los métodos propuestos pueden producir abrasivos de SiO2 cuyo tamaño puede controlarse variando las condiciones de la reacción sol-gel. El tamaño de los abrasivos de SiO2 se controló en el rango de 58 a 684 nm. La rugosidad del sustrato de acero depende en gran medida del tamaño del abrasivo, y la rugosidad de la superficie disminuye a medida que se reduce el tamaño del abrasivo. Con el SiO2 nanoestructurado se obtiene una superficie superlisa con una rugosidad de 8,4 nm. La lechada CMP ideal puede utilizarse para producir superficies de material con baja rugosidad, excelente planarización global, alta selectividad, un excelente acabado y una baja tasa de defectos.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:abrasivo de sio2, condiciones de reacción del gel, sustrato de acero, eficacia del nano, sol, lechada de cmp ideal, excelente planarización global, nano polvo de sio2, cmp de acero, disminución del tamaño del abrasivo
• Keywords:sio2 abrasive, gel reaction conditions, steel substrate, efficacy of nano, sol, ideal cmp slurry, excellent global planarization, nanopowder of sio2, cmp of steel, abrasive size decline