Resumen

Las propiedades interfaciales entre el silicio y el óxido de hafnio (HfO2) se exploran mediante el método del diodo cerrado y la medición del subumbral. En este trabajo se obtiene la densidad de cargas atrapadas en la interfaz, la corriente inducida por los centros de defectos superficiales, la velocidad de recombinación superficial y la sección transversal de captura del estado superficial. Entre las propiedades interfaciales, la sección transversal de captura del estado superficial es aproximadamente constante incluso si se cambia la condición de recocido posterior a la deposición. Esta sección transversal de captura efectiva de estados superficiales es de aproximadamente 2,4 × 10-15 cm2, lo que puede ser una naturaleza inherente a la interfaz HfO2/Si.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:cruz de captura de estado, propiedad interfacial, sección de la superficie, captura de estado de la superficie, centro de defectos de la superficie, densidad de la interfaz, velocidad de recombinación de la superficie, cruz de captura efectiva, naturaleza inherente, carga atrapada
• Keywords:state capture cross, interfacial property, section of surface, surface state capture, surface defects center, density of interface, surface recombination velocity, effective capture cross, inherent nature, trapped charge