Resumen

Las capas apiladas de vidrio/Mo, lámina de Mo, vidrio/Mo/In y vidrio/Mo/Cu se selenizaron en tubos de vacío cerrados mediante recocido isotérmico y/o por zonas a dos temperaturas en vapores de Se. El proceso de selenización se estudió en función de la presión de vapor de Se, la temperatura y el tiempo. Las muestras se selenizaron entre 375 y 580°C durante 30 y 60 minutos. La presión de Se aplicada varió entre 130 y 4,4-103 Pa. Se comprobó que el aumento del espesor de la película de MoSe2 dependía del origen del Mo. El espesor dL de MoSe2 en la lámina de Mo fue mucho mayor que en las capas de Mo pulverizadas, y dependió linealmente del tiempo y como función de potencia dL~PSe1/2 de la presión de vapor de Se. El contenido de oxígeno residual en las capas de MoSe2 formadas era mucho menor en el proceso de selenización de dos zonas. Si el Mo se cubría con Cu o In antes de la selenización, éstos se difundían en la capa de MoSe2 formada. Todas las capas de MoSe2 mostraron una conductividad de tipo p.

• Materias:Sistema cuántico Masa (Física) fotoelectrones Iones Reacciones Nucleares
• Subjects:Quantum system Mass (Physical) photoelectrons Ions Nuclear Reactions
• Palabras claves:presión de vapor de se, capa de mose2 formada, espesor de la película de mose2, presión de se aplicada, origen de la mo., capa de mo pulverizada, espesor de mose2 dl, tubo de vacío cerrado, vidrio, proceso de selenización zonal
• Keywords:se vapor pressure, formed mose2 layer, mose2 film thickness, applied se pressure, origin of mo., sputtered mo layer, mose2 thickness dl, closed vacuum tube, glass, zone selenization process