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Artículo

Graphene Quantum Dots-Modified Ternary ZnCdS Semiconductor for Enhancing Photoelectric PropertiesSemiconductor ternario ZnCdS modificado con puntos cuánticos de grafeno para mejorar las propiedades fotoeléctricas

Resumen

Se preparó una serie de compuestos de ZnCdS modificado con puntos cuánticos de grafeno (ZnCdS/G) con diferentes contenidos de puntos cuánticos de grafeno (GQDs) por una ruta solvotérmica y se caracterizaron mediante diversas medidas. Los GQDs tienen una altura tipo grafeno de 2 nm y presentan un comportamiento PL dependiente de la excitación. Los compuestos de ZnCdS modificados con GQDs presentan buenos dedos reticulares que pueden asignarse al plano (110) de los GQDs y al plano (112) del ZnCdS. Se investigó el efecto de diferentes contenidos de GQDs sobre la propiedad fotoeléctrica del ZnCdS. Los resultados muestran que la densidad de fotocorriente de ZnCdS/G primero aumenta y alcanza un máximo de 11,4 μA/cm2 con la adición de 0,06 wt y luego disminuye a medida que el contenido de GQDs cambia de 0,06 wt% a 0,12 wt%. Los recuentos de fotocorriente en función del tiempo presentan una disminución del 10 nd permanece estable después de 1600 s.

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  • Idioma:Inglés
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