Se preparó una serie de compuestos de ZnCdS modificado con puntos cuánticos de grafeno (ZnCdS/G) con diferentes contenidos de puntos cuánticos de grafeno (GQDs) por una ruta solvotérmica y se caracterizaron mediante diversas medidas. Los GQDs tienen una altura tipo grafeno de 2 nm y presentan un comportamiento PL dependiente de la excitación. Los compuestos de ZnCdS modificados con GQDs presentan buenos dedos reticulares que pueden asignarse al plano (110) de los GQDs y al plano (112) del ZnCdS. Se investigó el efecto de diferentes contenidos de GQDs sobre la propiedad fotoeléctrica del ZnCdS. Los resultados muestran que la densidad de fotocorriente de ZnCdS/G primero aumenta y alcanza un máximo de 11,4 μA/cm2 con la adición de 0,06 wt
y luego disminuye a medida que el contenido de GQDs cambia de 0,06 wt% a 0,12 wt%. Los recuentos de fotocorriente en función del tiempo presentan una disminución del 10
nd permanece estable después de 1600 s.
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